相关证件:
会员类型:
会员年限:3年
S8550晶体管(PNP)
S8550
S8550
特征
集电极电流:IC=0.5A
标记:2TY
额定值(TA=25℃,除非另有说明)
符号参数值单位
VCBO集电极基极电压-40 V
VCEO集电极-发射极电压-25 V
VEBO发射极基极电压-5 V
IC集电极电流-连续-0.5 A
PC集电极功耗0.3 W
Tj结温150℃
Tstg储存温度-55-150℃
电气特性(Tamb=25℃,除非另有规定)
参数符号测试条件单位
集电极基极击穿电压V(BR)CBO IC=-100μA,IE=0-40 V
集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO IC=-1mA,IB=0-25V
发射极-基极击穿电压V(BR)EBO IE=-100μA,IC=0-5 V
集电极截止电流ICBO VCB=-40V,IE=0-0.1μA
集电极截止电流ICEO VCE=-20V,IB=0-0.1μA
发射极截止电流IEBO VEB=-3V,IC=0-0.1μA
hFE(1)VCE=-1V,IC=-50mA 200 350
直流电流增益
hFE(2)VCE=-1V,IC=-500mA 50
集电极-发射极饱和电压VCE(sat)IC=-500mA,IB=-50mA-0.6V
基极发射极饱和电压VBE(sat)IC=-500mA,IB=-50mA-1.2V
过渡频率
VCE=-6V,IC=-20mA
f=30MHz
150兆赫