相关证件:
会员类型:
会员年限:3年
SS8050晶体管(NPN)
ss8050
ss8050
特征SS8550
标记:Y1
大额定值(Ta=25℃,除非另有说明)
符号参数值单位
VCBO集电极基极电压40 V
VCEO集电极-发射极电压25 V
VEBO发射极基极电压5 V
IC集电极电流-连续1.5 A
PC集电极功耗0.3 W
Tj结温150℃
Tstg储存温度-55-150℃
电气特性(Ta=25℃,除非另有规定)
参数符号测试条件小典型大单位
集电极基极击穿电压V(BR)CBO IC=100μA,IE=0.40 V
集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO IC=0.1mA,IB=0.25V
发射极-基极击穿电压V(BR)EBO IE=100μA,IC=0.5V
集电极截止电流ICBO VCB=40V,IE=0.1μA
集电极截止电流ICEO VCB=20V,IE=0.1μA
发射极截止电流IEBO VEB=5V,IC=0.1μA
hFE(1)VCE=1V,IC=100mA 120 400
直流电流增益
hFE(2)VCE=1V,IC=800mA 40
集电极-发射极饱和电压VCE(sat)IC=800mA,IB=80mA 0.5 V
基极发射极饱和电压VBE(sat)IC=800mA,IB=80mA 1.2 V
过渡频率
VCE=10V,IC=50mA
f=30MHz
100兆赫
hFE的分类(1)
秩L H J
范围120-200-350 300-400