深圳市兴华盛电子有限公司

CJ2307 P沟道30-V（D-S）MOSFET

CJ2307
特征
CJ2307

沟槽式功率MOSFET


应用


便携式设备的负载开关


大额定值（Ta=25℃，除非另有说明）


参数符号值单位


漏源极电压VDS-30


栅源电压VGS±20


v


连续漏极电流a、b ID-2.7


连续源漏电流A，b为-0.91


A.


功耗A，b PD 1.1 W


结对环境的热阻（t≤5s）RθJA 114℃/W


工作结温TJ 150


储存温度Tstg-55~+150℃


标记等效电路


z z


V（BR）DSS RDS（on）大ID


-30V


88mΩ@-10V


-2.7A
参数符号试验条件小典型大单位


静止的


漏源击穿电压V（BR）DSS VGS=0V，ID=-250μA-30


栅源阈值电压VGS（th）VDS=VGS，ID=-250μA-1-3


v


栅源泄漏IGSS VDS=0V，VGS=±20V±100NA


VDS=-30V，VGS=0V-1


零栅极电压漏极电流IDSS


VDS=-30V，VGS=0V，TJ=55℃-10


μA


VGS=-4.5V，ID=-2.5A 0.110 0.138


漏源接通状态电阻C


无线电数据系统（on）


VGS=-10V，ID=-3.5A 0.073 0.088


Ω


正向跨导


gfs VDS=-10V，ID=-3.5A 7S


动态


输入电容Ciss 340


输出电容Coss 67


反向转移电容


VDS=-15V，VGS=0V，f=1MHz


51


pF


总闸门费用Qg 4.1 6.2


栅源电荷Qgs 1.3


栅漏电荷


VDS=-15V，VGS=-4.5V，


ID=-2.5A


1.8


数控


栅极电阻Rg f=1MHz 10Ω


开启延迟时间td（开启）40 60


上升时间tr 40 60


关闭延迟时间td（关闭）20 40


下降时间tf


VDD=-15V，


RL=15Ω, ID=-1A，


VGEN=-4.5V，Rg=1Ω


17 30


ns


漏源体二极管特性


车身二极管电压VSD=-0.75A，VGS=0-0.8-1.2 V


笔记：


A.t=5s。


B表面安装在1英寸×1英寸FR4板上。


C脉冲测试：脉冲宽度<300μs，占空比≤2%.